KLA/レビューSEM

eDRX1™

シリコン系ウェーハ・チップ向けの電子ビーム欠陥レビュー・分類装置。KLA の光学検査装置と連携する。

eDRX1とは

eDRX1 は、KLA の電子ビーム(e-beam)によるウェーハ欠陥のレビュー・分類装置です。CPU、GPU、DRAM、3D NAND など、幅広いノードとデバイスのシリコン系ウェーハ・チップの製造を支えます。

欠陥の高解像度の画像を取り、ウェーハ上の欠陥の分布を正確に表します。幅広い電子光学系と専用のインレンズ検出器で、繊細な EUV リソグラフィ層、高アスペクト比のトレンチ層、電位コントラスト層など、多くの工程で欠陥を見られます。独自の Simul-6 技術で、1 回のテストで注目欠陥のパレートを完成させます。

39xx・29xx 光学式検査装置との DualSENS、Surfscan との OptiSens などの連携機能で、KLA の検査装置と結びつき、チップとウェーハの製造での歩留まり改善を速めます。

主な特長

  • •インレンズ検出器
  • •Simul-6 で 1 回でパレート作成
  • •KLA 検査装置との連携

主な仕様

方式電子ビーム欠陥レビュー・分類
特徴インレンズ検出器・Simul-6 技術
連携DualSENS(39xx/29xx)・OptiSens(Surfscan)

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目日立ハイテクCR7300日立ハイテクCT1000(欠陥形状評価 SEM)Applied MaterialsSEMVision™ H20Applied MaterialsSEMVision™ G10 Defect AnalysisApplied MaterialsSEMVision™ G7 Defect AnalysisApplied MaterialsSEMVision™ G7AP Defect AnalysisApplied MaterialsSEMVision® G9 Defect AnalysisKLAMicro-SR™KLAeDRX1™KLAeDR7380™
方式———電子ビーム欠陥レビュー(冷陰極電界放出)電子ビーム欠陥レビュー(e-lluminator 技術)電子ビーム欠陥レビュー・特性評価電子ビーム自動欠陥レビュー光学式欠陥レビュー・計測電子ビーム欠陥レビュー・分類電子ビーム欠陥レビュー・分類(機械学習 ADC)
特徴VT-Scan(電気特性可視化)・AI 画像処理—サブナノメートル分解能・従来比最大 3 倍の高速分類——非標準ウェーハ・基板の専用ハンドリングElluminator BSE 透過イメージング・電子ビームチルト・深い焦点深度—インレンズ検出器・Simul-6 技術—
対象———表面の微小欠陥・埋もれ欠陥車載・IoT・RF・フォトニクス・パワー・先端パッケージWLP・D2W/W2W 接合・ハイブリッド接合・TCB・HBM————
電子源新設計電子光学系(高速電子線スキャン)—冷陰極電界放出(CFE・第2世代)———————
主要用途先端デバイスの欠陥レビュー・分類—2nm ロジック・DRAM・3D NAND の埋もれ欠陥解析———————
分解能—7nm(1kV)—サブナノメートル——————
対応ウェハ径—100/150/200 mm—————150/200 mm・200/300 mm・300 mm——
機能————自動欠陥レビュー(ADR)・自動欠陥分類(ADC)—ディープラーニングによる分類———
1機種だけが掲載している項目(5件)
試料最大傾斜角—55°————————
計測———————TSV・バンプ・RDL の X・Y・高さ——
連携————————DualSENS(39xx/29xx)・OptiSens(Surfscan)—
対応ウェハ—————————150/200/300 mm・厚さ 180〜1,500µm
対応基板—————————SiC・GaN・ガラス・サファイア・POI など

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •欠陥の画像化と自動分類
  • •EUV プリントチェック・ベベルレビュー

掲載カテゴリ

eDRX1は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

KLA

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

KLA の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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