eDR7380™

SiC・GaN などワイドバンドギャップ半導体向けの電子ビーム欠陥レビュー・分類装置。機械学習で自動分類する。

eDR7380とは

eDR7380 は、KLA の電子ビーム（e-beam）によるウェーハ欠陥のレビュー・分類装置です。ワイドバンドギャップ半導体のウェーハとチップの製造を支えます。

欠陥の高解像度の画像を取り、機械学習による自動欠陥分類で正確な欠陥パレートを作ります。開発では欠陥の発生源の特定を、生産では異常の検出を速めます。

SiC、GaN、ガラス、サファイア、POI（圧電体オンインシュレータ）などの基板と、パワー、LED、フォトニクス、RF、MEMS などのデバイスに対応します。150・200・300mm、厚さ 180〜1,500µm のウェーハで、幅広い大きさと種類の欠陥をレビュー・分類し、EDX による組成分析にも対応します。

主な特長

•機械学習による自動欠陥分類
•ワイドバンドギャップ基板に対応
•厚さ 180〜1,500µm に対応
•EDX 組成分析

主な仕様

方式	電子ビーム欠陥レビュー・分類（機械学習 ADC）
対応ウェハ	150／200／300 mm・厚さ 180〜1,500µm
対応基板	SiC・GaN・ガラス・サファイア・POI など

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	日立ハイテクCR7300	日立ハイテクCT1000（欠陥形状評価 SEM）	Applied MaterialsSEMVision™ H20	Applied MaterialsSEMVision™ G10 Defect Analysis	Applied MaterialsSEMVision™ G7 Defect Analysis	Applied MaterialsSEMVision™ G7AP Defect Analysis	Applied MaterialsSEMVision® G9 Defect Analysis	KLAMicro-SR™	KLAeDRX1™	KLAeDR7380™
方式	—	—	—	電子ビーム欠陥レビュー（冷陰極電界放出）	電子ビーム欠陥レビュー（e-lluminator 技術）	電子ビーム欠陥レビュー・特性評価	電子ビーム自動欠陥レビュー	光学式欠陥レビュー・計測	電子ビーム欠陥レビュー・分類	電子ビーム欠陥レビュー・分類（機械学習 ADC）
特徴	VT-Scan（電気特性可視化）・AI 画像処理	—	サブナノメートル分解能・従来比最大 3 倍の高速分類	—	—	非標準ウェーハ・基板の専用ハンドリング	Elluminator BSE 透過イメージング・電子ビームチルト・深い焦点深度	—	インレンズ検出器・Simul-6 技術	—
対象	—	—	—	表面の微小欠陥・埋もれ欠陥	車載・IoT・RF・フォトニクス・パワー・先端パッケージ	WLP・D2W／W2W 接合・ハイブリッド接合・TCB・HBM	—	—	—	—
電子源	新設計電子光学系（高速電子線スキャン）	—	冷陰極電界放出（CFE・第2世代）	—	—	—	—	—	—	—
主要用途	先端デバイスの欠陥レビュー・分類	—	2nm ロジック・DRAM・3D NAND の埋もれ欠陥解析	—	—	—	—	—	—	—
分解能	—	7nm（1kV）	—	サブナノメートル	—	—	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	100／150／200 mm	—	—	—	—	—	150／200 mm・200／300 mm・300 mm	—	—
機能	—	—	—	—	自動欠陥レビュー（ADR）・自動欠陥分類（ADC）	—	ディープラーニングによる分類	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（5件）

試料最大傾斜角	—	55°	—	—	—	—	—	—	—	—
計測	—	—	—	—	—	—	—	TSV・バンプ・RDL の X・Y・高さ	—	—
連携	—	—	—	—	—	—	—	—	DualSENS（39xx／29xx）・OptiSens（Surfscan）	—
対応ウェハ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	150／200／300 mm・厚さ 180〜1,500µm
対応基板	—	—	—	—	—	—	—	—	—	SiC・GaN・ガラス・サファイア・POI など