KLA/マクロ検査装置

CIRCL™

表面・エッジ・裏面の欠陥検査とレビューを並行して行うクラスター型装置。

CIRCLとは

CIRCL は、KLA の欠陥検査・計測・レビューのクラスター装置です。ウェーハの表面・裏面・エッジの全面を 1 台で測定します。

KLA の 8 シリーズ検査装置の技術をモジュールとして搭載でき、複数のモジュールで検査とレビューを並行して行います。先端パッケージ向けには、Kronos の検査技術をモジュールとして載せた CIRCL-AP があります。

主な特長

  • •表面・裏面・エッジの全面検査
  • •検査・計測・レビューのクラスター構成
  • •パッケージ向けの CIRCL-AP

主な仕様

検査範囲表面・エッジ・裏面(全面)
構成4 モジュールのクラスター(CIRCL5)
主要用途全面の欠陥監視・エッジプロファイル計測

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目KLACIRCL™Onto InnovationNSX® 330Onto InnovationF30™Onto InnovationEB40™SCREENホールディングスZI-3600(パターン付きウェーハ外観検査装置)SCREENホールディングスZI-2000(パターン付きウェーハ外観検査装置)レーザーテックLX シリーズレーザーテックCIEL シリーズレーザーテックEZ300(ウェハエッジ形状測定装置)ニコン(Nikon)AMI-5700ニコン(Nikon)OPTISTATION-3200
方式——5 対物レンズのターレット・明視野/暗視野/リング照明/IR レビュー明視野・暗視野のエッジ/裏面検査ラインセンサによる全面検査—多波長・全面高速撮像—コンフォーカル光学系——
構成4 モジュールのクラスター(CIRCL5)マクロ検査+2D/3D 計測(オプション)—EB40(一体)・E40(エッジ)・B40(裏面)——高分解能モデル・高スループットモデル————
主要用途全面の欠陥監視・エッジプロファイル計測先端パッケージのマイクロバンプ・RDL・TSV 検査——————ウェーハ外周部の歩留まり管理——
検査範囲表面・エッジ・裏面(全面)表面(100 ~ 330 mm ウェーハ)—————————
対応ウェハ径——100〜300 mm——76〜200 mm—————
機能———————微小欠陥の特定・3D 測定凹凸判定を含む自動欠陥分類・高解像度 3D 測定——
1機種だけが掲載している項目(15件)
連携——エッジ・裏面モジュール EB40————————
範囲———ベベル全体と裏面(Zone 1〜5)———————
スループット————従来機(ZI-3500)比約 2 倍——————
オプション————CD 測定・オーバーレイ測定——————
検査方式—————比較検査(Die to Die・Cell to Cell)—————
光学分解能—————1.5µm・4µm—————
検査対象——————膜厚・エッチング量・CD のばらつき————
対象———————ウェーハエッジ・ベベル———
モード———————高スループットモードを搭載———
適用ウェハ—————————SEMI 準拠 300mm ノッチウェハ—
検査スループット—————————毎時 180 枚以上(標準倍率時)—
計測(オプション)—————————CD・膜厚・フォーカス—
ラインアップ——————————OPTISTATION-3200(前工程)/3100/3000(後工程)
ウェハサイズ——————————300mm・200mm(3100/3000 は兼用も可)
顕微鏡——————————6 本の対物レンズ・明視野/暗視野

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •ウェーハ全面の欠陥監視
  • •エッジプロファイル計測
  • •出荷前品質管理

掲載カテゴリ

CIRCLは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

KLA

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

KLA の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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