CELLESTA Pro SPMとは
CELLESTA Pro SPM は、TEL の枚葉洗浄装置 CELLESTA シリーズのうち、SPM（硫酸過水）処理に特化した機種です。2019年5月に販売を始めました。
SPM 専用のチャンバーを積み重ね、最大 18 チャンバーを搭載できます。従来装置に比べて生産性は 1.5 倍、SPM 薬液のコストは最大 50% 削減でき、硫酸の使用量を大きく減らせます。
液はね（スプラッシュ）を抑える技術、汚染防止機能、自動洗浄機能を持ち、メンテナンスフリーを実現しています。TiN 膜や W 膜の選択比を制御したウェットメタルエッチング、CMP 後洗浄、アッシング後洗浄にも使えます。
主な特長
- •SPM 専用チャンバーを最大 18 基
- •生産性は従来比 1.5 倍
- •SPM 薬液コストを最大 50% 削減
- •TiN・W のウェットメタルエッチングにも対応
主な仕様
| 処理方式 | 枚葉式ウェット（SPM） |
|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 特徴 | CELLESTA プラットフォーム |
| 主要用途 | レジスト剥離・有機物除去 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | SCREENホールディングスSU-3400 | 東京エレクトロン（TEL）CELLESTA™ Pro SPM | Veeco InstrumentsWaferStorm® |
|---|---|---|---|
| 処理方式 | 枚葉式ウェット（SPM 等） | 枚葉式ウェット（SPM） | 浸漬（ImmJET）＋高圧スプレー |
| 特徴 | 処理能力 1,200 枚／時・SPM 使用量 30% 削減 | CELLESTA プラットフォーム | メタルリフトオフ・フラックス洗浄・TSV 洗浄にも対応 |
| 主要用途 | レジスト剥離・洗浄 | レジスト剥離・有機物除去 | フォトレジスト・ドライフィルム剥離、ハイブリッドボンディング前洗浄 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •レジスト剥離
- •CMP 後洗浄・アッシング後洗浄
- •メモリ・ロジックの洗浄工程
掲載カテゴリ
CELLESTA Pro SPMは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
レジスト剥離装置（ウェット）のほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）CELLESTA™ SCD（ウェハ乾燥装置）NS300Z（ウェハスクラバ）EVAROS™（拡散炉）TELFORMULA™（拡散炉）ALPHA-8SE™ i（拡散炉）Triase+™ EX-II™ TiN（CVD装置）Triase+™ Ti/TiN（CVD装置）Triase+™ SPAi（RTP（急速熱処理）装置）Episode™ 1（CVD装置）Episode™ 2 DMR（CVD装置）EXIM™（PVD装置）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™（コータ／デベロッパ）UNITY™ Me+（SiCパワー半導体製造装置）CELLESTA™-i MD（シングルウェハ洗浄装置）CELLESTA™ MS2（ウェハスクラバ）Prexa™（ウェハプローバー）Prexa™ MS（ウェハプローバー）Prexa™ SDP（最終テスト装置）Cellcia™（ウェハプローバー）WDF™ 12DP+（ウェハプローバー）Precio octo™（ウェハプローバー）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus（TSV形成装置）Ulucus™ L（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ LX（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ G（バックグラインダー）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07