CELLESTA-i MDとは
CELLESTA-i MD は、東京エレクトロン（TEL）の 300mm ウェーハ対応の枚葉洗浄装置です。10nm ノード以下の最新の洗浄プロセスに対応します。
CELLESTA-i の基本コンセプトを発展させ、最先端の微細パターンへのダメージレス洗浄を可能にし、パーティクル除去性能を大きく高めました。洗浄後のチャンバー内の雰囲気制御技術と独自の IPA 吐出技術を新たに採用し、ごく微細なパターンでもパターン倒壊を抑えて乾燥させます。
薬液のリサイクル機能も向上させ、運用コストを下げます。Cu などの金属が露出した状態での洗浄にも適用できます。スループットは 650 wph で、半導体・オブ・ザ・イヤー 2014 を受賞しています。
主な特長
- •ダメージレス洗浄
- •独自の IPA 吐出でパターン倒壊を抑制
- •薬液リサイクル
- •650 wph
主な仕様
| 方式 | 枚葉洗浄（300mm） |
|---|---|
| スループット | 650 wph |
| 乾燥方式 | 新 IPA 乾燥・SMD |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | SCREENホールディングスSU-3300（枚葉式洗浄装置） | SCREENホールディングスSU-2000（枚葉式洗浄装置） | 東京エレクトロン（TEL）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置） | 東京エレクトロン（TEL）CELLESTA™-i MD | Lam ResearchEOS®（ウェット洗浄） | Lam ResearchDV-Prime®／Da Vinci® |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 枚葉式 | 枚葉式洗浄 | 枚葉式 | 枚葉洗浄（300mm） | 枚葉ウェット洗浄 | 枚葉ウェット洗浄 |
| 特徴 | — | 薄ウェーハ対応・オールインワン構成 | — | — | 高アスペクト比のパターン倒れのない乾燥・溶剤の回収 | 装置内の薬液供給・薬液回収システム |
| チャンバー構成 | 最大 24 チャンバー（4段×6タワー） | — | 最大 20 チャンバー | — | — | — |
| 主な技術 | パターン倒壊を抑える乾燥技術・APAC2 | — | 薬液リサイクル・物理洗浄・ベベル洗浄・裏面洗浄ユニット | — | — | — |
| 主要用途 | 先端デバイスの洗浄 | — | — | — | — | 粒子・ポリマー除去、裏面洗浄、レジスト除去、基板薄化 |
| 構成 | — | 2 チャンバ・4 チャンバ | — | — | 最大 16 プロセスチャンバー | — |
1機種だけが掲載している項目（4件）
| 対応ウェハ径 | — | — | 300 mm | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 関連機種 | — | — | CELLESTA-i MD（10nm 以細向け）・CELLESTA MS2（両面物理洗浄） | — | — | — |
| スループット | — | — | — | 650 wph | — | — |
| 乾燥方式 | — | — | — | 新 IPA 乾燥・SMD | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •前後洗浄・ウェットエッチング
- •メタル露出時の洗浄
掲載カテゴリ
CELLESTA-i MDは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
シングルウェハ洗浄装置のほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）CELLESTA™ Pro SPM（レジスト剥離装置（ウェット））CELLESTA™ SCD（ウェハ乾燥装置）NS300Z（ウェハスクラバ）EVAROS™（拡散炉）TELFORMULA™（拡散炉）ALPHA-8SE™ i（拡散炉）Triase+™ EX-II™ TiN（CVD装置）Triase+™ Ti/TiN（CVD装置）Triase+™ SPAi（RTP（急速熱処理）装置）Episode™ 1（CVD装置）Episode™ 2 DMR（CVD装置）EXIM™（PVD装置）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™（コータ／デベロッパ）UNITY™ Me+（SiCパワー半導体製造装置）CELLESTA™ MS2（ウェハスクラバ）Prexa™（ウェハプローバー）Prexa™ MS（ウェハプローバー）Prexa™ SDP（最終テスト装置）Cellcia™（ウェハプローバー）WDF™ 12DP+（ウェハプローバー）Precio octo™（ウェハプローバー）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus（TSV形成装置）Ulucus™ L（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ LX（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ G（バックグラインダー）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07