CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)
東京エレクトロンの 300mm 対応枚葉洗浄装置。最大 20 ユニットの洗浄チャンバーを搭載し、クリーンルーム占有面積あたりの生産性を高めている。
CELLESTA-iとは
CELLESTA-i は、東京エレクトロンの 300mm ウェーハ対応枚葉洗浄装置です。生産性を高めながら装置のフットプリントを抑え、従来装置に比べてクリーンルーム占有面積を大幅に減らしました。
最大 20 ユニットの洗浄チャンバーを搭載でき、1m² あたりの生産性は世界最高水準とされています。低 CoO 化のための薬液リサイクル技術や、ウェーハ上のパーティクルを取り除く物理洗浄装置も搭載します。ウェーハ外周部に特化したベベル洗浄ユニットや、少ない薬液で裏面を洗う裏面洗浄ユニットも載せられ、拡張性が高い装置です。
シリーズには、10nm ノード以細の洗浄プロセスに対応し、パターン倒壊を抑えた乾燥性能を持つ CELLESTA-i MD と、2流体スプレーとブラシで両面を同時に物理洗浄する CELLESTA MS2 があります。
主な特長
- •最大 20 チャンバー、1m² あたり世界最高水準の生産性
- •薬液リサイクルによる低 CoO
- •物理洗浄・ベベル洗浄・裏面洗浄ユニットを搭載可能
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | 枚葉式 |
| チャンバー構成 | 最大 20 チャンバー |
| 主な技術 | 薬液リサイクル・物理洗浄・ベベル洗浄・裏面洗浄ユニット |
| 関連機種 | CELLESTA-i MD(10nm 以細向け)・CELLESTA MS2(両面物理洗浄) |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | SCREENホールディングスSU-3300(枚葉式洗浄装置) | 東京エレクトロン(TEL)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置) |
|---|---|---|
| 方式 | 枚葉式 | 枚葉式 |
| チャンバー構成 | 最大 24 チャンバー(4段×6タワー) | 最大 20 チャンバー |
| 主な技術 | パターン倒壊を抑える乾燥技術・APAC2 | 薬液リサイクル・物理洗浄・ベベル洗浄・裏面洗浄ユニット |
1機種だけが掲載している項目(3件)
| 主要用途 | 先端デバイスの洗浄 | — |
|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | — | 300 mm |
| 関連機種 | — | CELLESTA-i MD(10nm 以細向け)・CELLESTA MS2(両面物理洗浄) |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •300mm 量産ラインの枚葉ウェット洗浄
- •ベベル・裏面の洗浄
掲載カテゴリ
CELLESTA-iは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
CELLESTA-i と CELLESTA-i MD の違いは?
CELLESTA-i MD は CELLESTA-i の基本コンセプトを発展させた機種で、10nm ノード以細の洗浄に対応し、チャンバー内雰囲気制御と独自の IPA 吐出技術でパターン倒壊を抑えた乾燥を行います。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06