EXIM™

STT-MRAM などの超多層膜を高い生産性で成膜する TEL の PVD 装置。プロセスモジュールを自由に配置できる。

EXIMとは

EXIM は、東京エレクトロン（TEL）の PVD 装置です。垂直磁化型 MTJ 素子などの超多層膜メモリスタックでも高い生産性を得るため、これまでにない柔軟性と拡張性を備えています。

従来の PVD 装置とまったく異なるコンセプトで、プロセスモジュールを必要に応じて自由に配置でき、開発から量産まで幅広く対応します。新しい成膜手法で稼働率を上げ、パーティクルの低減と良好な面内均一性・再現性を実現しました。マルチカソードのスパッタ源で、界面と組成の制御性に優れます。

次世代メモリの鍵とされる STT-MRAM の製造で要となる、20 層以上の超多層膜の工程で高い生産性とプロセス性能を両立します。半導体・オブ・ザ・イヤー 2015 を受賞しています。

主な特長

•プロセスモジュールを自由に配置
•マルチカソードスパッタ
•20 層以上の超多層膜に対応

主な仕様

方式	マルチカソード PVD
対象	垂直磁化型 MTJ（20 層以上の超多層膜）
受賞	半導体・オブ・ザ・イヤー 2015

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsEndura® PVD	Applied MaterialsAxcela™ PVD	Applied MaterialsEndura® ALPS® PVD	Applied MaterialsEndura® Amber™ PVD	Applied MaterialsEndura® Avenir® RF PVD	Applied MaterialsEndura® Cirrus™ HT Co PVD	Applied MaterialsEndura® Cirrus™ HTX PVD	Applied MaterialsEndura® Clover® MRAM PVD	Applied MaterialsEndura® CuBS RF XT PVD	Applied MaterialsEndura® iLB™ PVD/ALD	Applied MaterialsEndura® Impulse™ PCRAM PVD	Applied MaterialsEndura® Ioniq™ W PVD	Applied MaterialsEndura® Versa™ XLR2 W PVD	Applied MaterialsPika™ PVD	東京エレクトロン（TEL）LEXIA™-EX（PVD）	東京エレクトロン（TEL）EXIM™	ULVAC（アルバック）ENTRON-EXX	ULVAC（アルバック）ENTRON-EX W300	Lam ResearchPrestis™（AlScN PVD）	KLASPTS Sigma® PVD
方式	PVD（スパッタリング）マルチチャンバー	—	低圧ソース（ALPS）PVD	PVD 銅成膜＋熱リフロー	RF PVD（高圧・容量結合プラズマ）	高温コバルト PVD	PVD（TiN ハードマスク）	PVD 統合システム（最大 7 成膜室）	高イオン化 PVD（EnCoRe II Ta(N) バリア・RF XT Cu シード）	PVD／CVD＋RE-ALD（Centinel チャンバー）	PVD 統合システム（最大 7 成膜室）	PVD W＋CVD W＋前処理を 1 つの高真空プラットフォームに統合	PVD（タングステン）	—	マルチカソード／デュアルカソード PVD	マルチカソード PVD	PVD マルチチャンバ（Single／Tandem）	—	PVD（圧電セラミック膜）	PVD（Advanced Hi-Fill イオン化 PVD ソース）
主要用途	Co・W・Al・Cu 配線、UBM、パワー・MEMS 向け新材料	—	—	銅配線のシード・ボトムアップ埋め込み	High-k／メタルゲート・Ni(Pt) コンタクトシリサイド	DRAM のビット線コンタクトなど	Low-k 配線のパターニング	—	—	32nm 以下のロジック・DRAM 電極・埋め込みワード線	—	各種コンタクトのメタライゼーション	DRAM ビット線	—	—	—	ロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリの配線・電極膜	—	RF MEMS・MEMS マイク・PMUT・マイクロスピーカー	—
特徴	—	—	Siconi プリクリーン（SiO₂:Si 選択比 20:1 超）	—	10Å 未満の均一な薄膜・TiN の組成制御	—	—	1 室で最大 5 材料・オンボード計測	Aktiv プリクリーン	—	GST 相変化材料用の Impulse GST チャンバー	—	—	—	フットプリント約 40% 削減・CO₂ 排出約 14% 削減	—	—	—	—	独自のデガス・プリクリーンで低接触抵抗・他社比 2 倍のスループット
膜種	—	—	Co・Ni（シリサイド形成用）	—	—	Co（Co シリサイド形成）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	AlScN など	Au・Al・Ti・TiW・Cu
対応ウェハ径	150／200／300 mm	150／200／300／330 mm	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	300 mm	—	—	—	—	—
対象世代	—	—	—	2X nm 以降（1X nm を含む）	—	—	10nm 以降	—	3X／2X nm 以降	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
対象	—	—	—	—	—	—	—	MRAM の全積層（30 層超）	—	—	PCRAM・ReRAM	—	—	—	—	垂直磁化型 MTJ（20 層以上の超多層膜）	—	—	—	—
チャンバー構成	最大 9 チャンバー（プリクリーン 2 室を含む）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 12 モジュール	—	—	—
スループット	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	100 wph（従来機比 20% 以上向上）	—	—	メカニカル 100 wph 以上	—	—

1機種だけが掲載している項目（12件）

膜厚	—	最大 8µm の厚膜	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
均一性	—	非均一性 2% 未満（1σ）を 10 年間維持	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
カバレッジ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	極薄バリアで 90% 超	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
置き換え	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	TiN ライナー・W 核生成層・バルク W の組み合わせ	—	—	—	—	—	—	—	—
狙い	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	散乱を減らした低抵抗 W 膜	—	—	—	—	—	—	—
寸法	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1,657 × 755 × 1,822 mm	—	—	—	—	—	—
スパッタ源	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	DC・パルス DC・RF（同時スパッタ可）	—	—	—	—	—	—
稼働率	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	92% 超	—	—	—	—	—	—
関連機種	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	EXIM（STT-MRAM 向け超多層膜）	—	—	—	—	—
受賞	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	半導体・オブ・ザ・イヤー 2015	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 10 プロセス（スパッタ・プリクリーン・加熱・冷却）	—	—
プラットフォーム	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	シングル・タンデム	—	—