Prexa MSとは
Prexa MS は、東京エレクトロン（TEL）の 300mm 対応全自動ウェーハプローバです。Prexa の先進機能に加え、メモリのウェーハテストに必要な機能を搭載しています。
先端 DRAM を中心に、メモリのテストピン数や発熱量は増え続けています。Prexa MS はオプションで最大 1,000kg の超高荷重に対応し、高荷重の制御で正確なコンタクトを行います。
高い発熱に対応する吸熱制御も備え、今後のメモリでのフルウェーハテスト（一括コンタクト）を実現します。XY のプロービング精度は ±0.8µm です。
主な特長
- •最大 1,000kg の高荷重
- •高発熱への吸熱制御
- •XY 精度 ±0.8µm
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm（200 mm はオプション） |
|---|---|
| XY 精度 | ±0.8µm |
| プロービング荷重 | 600 kg（オプション 1,000 kg） |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Precio™ XL（ウェーハプローバ） | 東京エレクトロン（TEL）Prexa™ | 東京エレクトロン（TEL）Prexa™ MS | 東京エレクトロン（TEL）Cellcia™ | 東京エレクトロン（TEL）WDF™ 12DP+ | 東京エレクトロン（TEL）Precio octo™ | 東京精密（Accretech）UF3000EX-e（ウェーハプローバ） | アドバンテストHA1200（ダイレベルプローバ） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 200／300 mm | 300 mm（200 mm はオプション） | 300 mm（200 mm はオプション） | 300 mm | — | 150／200 mm | 200 ～ 300 mm（特殊ウェーハ含む） | — |
| XY 精度 | — | ±1.8µm（200mm オプション時 ±1.5µm） | ±0.8µm | — | ±1.8µm | ±2.0µm | — | — |
| 方式 | 全自動ウェーハプローバ（リニアモーター） | — | — | — | — | — | 全自動ウェーハプローバ | 個片ダイへの高精度自動プロービング |
| 主な機能 | TELPADS-I（高速針痕検査）・Auto Leveling・CoSMOz | — | — | — | — | — | OTS（光学式ターゲットスコープ）・15 インチタッチパネル | — |
| プロービング荷重 | — | 300 kg（オプション 450 kg） | 600 kg（オプション 1,000 kg） | — | — | — | — | — |
| 主要用途 | — | — | — | メモリ・ウェーハレベルバーンイン | — | — | ウェーハテスト（プローブテスト） | — |
| 対象 | — | — | — | — | 200／300mm ウェーハ・300mm ダイシングフレーム | — | — | チップレットを使うハイエンド SoC |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| 精度 | XY ±1.8 µm・Z ±5.0 µm | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| セル数 | — | — | — | 12 または 25 | — | — | — | — |
| 機能 | — | — | — | — | N-Shot アライメント（ダイシング前後） | — | — | — |
| オプション | — | — | — | — | — | 超高速針痕自動検査 TELPADS-I | — | — |
| 温度制御 | — | — | — | — | — | — | — | テスタ連動の ATC（Active Thermal Control） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •DRAM などメモリのウェーハテスト
- •フルウェーハ一括コンタクト
掲載カテゴリ
Prexa MSは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
ウェハプローバーのほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）CELLESTA™ Pro SPM（レジスト剥離装置（ウェット））CELLESTA™ SCD（ウェハ乾燥装置）NS300Z（ウェハスクラバ）EVAROS™（拡散炉）TELFORMULA™（拡散炉）ALPHA-8SE™ i（拡散炉）Triase+™ EX-II™ TiN（CVD装置）Triase+™ Ti/TiN（CVD装置）Triase+™ SPAi（RTP（急速熱処理）装置）Episode™ 1（CVD装置）Episode™ 2 DMR（CVD装置）EXIM™（PVD装置）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™（コータ／デベロッパ）UNITY™ Me+（SiCパワー半導体製造装置）CELLESTA™-i MD（シングルウェハ洗浄装置）CELLESTA™ MS2（ウェハスクラバ）Prexa™（ウェハプローバー）Prexa™ SDP（最終テスト装置）Cellcia™（ウェハプローバー）WDF™ 12DP+（ウェハプローバー）Precio octo™（ウェハプローバー）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus（TSV形成装置）Ulucus™ L（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ LX（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ G（バックグラインダー）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07