LEXIA™-EX(PVD)
東京エレクトロンの 300mm 対応マルチカソード PVD 装置。MTJ(磁気トンネル接合)から金属膜、DRAM キャパシタ用ハードマスクまで扱う。
LEXIA-EXとは
LEXIA-EX は、東京エレクトロンの 300mm 対応 PVD(スパッタ)装置です。マルチカソード PVD 方式に加え、デュアルカソード PVD 方式にも対応しています。
対象は磁気トンネル接合(MTJ)、金属膜、金属酸化物・窒化物膜、DRAM キャパシタ用の次世代ハードマスク、先端ロジック向けの機能膜、NAND 向けの膜と幅広いのが特長です。
スループットは 100wph で従来機比 20% 以上向上し、フットプリントを約 40%、CO₂ 排出量を約 14% 削減しました。同じシリーズの EXIM は、垂直磁化型 MTJ のような 20 層を超える超多層膜を高い生産性で成膜する STT-MRAM 向けの装置で、界面と組成の制御性に優れます。
主な特長
- •マルチカソード/デュアルカソード PVD
- •スループット 100wph(従来機比 20% 以上向上)
- •フットプリント約 40% 削減、CO₂ 約 14% 削減
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | マルチカソード/デュアルカソード PVD |
| スループット | 100 wph(従来機比 20% 以上向上) |
| 特徴 | フットプリント約 40% 削減・CO₂ 排出約 14% 削減 |
| 関連機種 | EXIM(STT-MRAM 向け超多層膜) |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsEndura® PVD | 東京エレクトロン(TEL)LEXIA™-EX(PVD) | ULVAC(アルバック)ENTRON-EXX |
|---|---|---|---|
| 方式 | PVD(スパッタリング)マルチチャンバー | マルチカソード/デュアルカソード PVD | PVD マルチチャンバ(Single/Tandem) |
| 対応ウェハ径 | 150/200/300 mm | 300 mm | — |
| チャンバー構成 | 最大 9 チャンバー(プリクリーン 2 室を含む) | — | 最大 12 モジュール |
| 主要用途 | Co・W・Al・Cu 配線、UBM、パワー・MEMS 向け新材料 | — | ロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリの配線・電極膜 |
1機種だけが掲載している項目(3件)
| スループット | — | 100 wph(従来機比 20% 以上向上) | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | — | フットプリント約 40% 削減・CO₂ 排出約 14% 削減 | — |
| 関連機種 | — | EXIM(STT-MRAM 向け超多層膜) | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •MTJ(MRAM)・金属膜・金属酸化物/窒化物膜
- •DRAM キャパシタ用次世代ハードマスク
- •先端ロジック・NAND の機能膜
掲載カテゴリ
LEXIA-EXは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
PVD装置のほかの製品
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06