EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)
東京エレクトロンの 300mm 対応バッチ式オートウェット洗浄装置。1バッチ最大 50 枚で、3D NAND 向けの酸化膜/窒化膜高選択ウェットエッチングにも対応する。
EXPEDIUS-iとは
EXPEDIUS-i は、東京エレクトロンの 300mm ウェーハ対応バッチ式オートウェット洗浄装置です。1回に最大 50 枚のウェーハをバッチ処理し、複数の処理槽でさまざまな薬液処理を行います。オートウェットステーション EXPEDIUS+ をベースに、プロセス性能と生産性を高めました。
スループットは従来装置比 150% 向上の毎時 1,000 枚です。酸化・拡散前洗浄、ポストエッチクリーニング、レジスト剥離といった従来用途に加え、需要が高まる 3D NAND 向けの酸化膜/窒化膜の高選択ウェットエッチングに対応します。
薬液処理槽、純水リンス槽、乾燥機構の仕様を最適化して洗浄・剥離性能を高め、選択エッチング技術でエッチング時の制御性と安定性を向上させました。乾燥機能も改良し、脆弱な構造のパターン倒壊を抑えつつ処理時間を大幅に短縮しています。
主な特長
- •最大 50 枚/バッチのバッチ式オートウェット洗浄
- •スループット 1,000 wph(従来比 150% 向上)
- •SiN 選択ウェットエッチング(3D NAND 向け)
- •パターン倒壊を抑える改良型乾燥機能
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | バッチ式(最大 50 枚/バッチ) |
| スループット | 1,000 wph |
| 主要用途 | SiN 選択ウェットエッチング・前後洗浄・レジスト剥離 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | SCREENホールディングスSU-3300(枚葉式洗浄装置) | 東京エレクトロン(TEL)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置) |
|---|---|---|
| 方式 | 枚葉式(薬液処理) | バッチ式(最大 50 枚/バッチ) |
| 主要用途 | ウェットエッチング・洗浄(高アスペクト比パターン) | SiN 選択ウェットエッチング・前後洗浄・レジスト剥離 |
1機種だけが掲載している項目(4件)
| チャンバー構成 | 最大 24 チャンバー(4段×6タワー) | — |
|---|---|---|
| 主な技術 | パターン倒壊を抑える乾燥技術・APAC2(チャンバー内気流制御) | — |
| 対応ウェハ径 | — | 300 mm |
| スループット | — | 1,000 wph |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •3D NAND の SiN 選択ウェットエッチング
- •酸化・拡散前洗浄、ポストエッチクリーニング
- •レジスト剥離
掲載カテゴリ
EXPEDIUS-iは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
ウェットエッチング装置のほかの製品
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06