Ulucus Gとは
Ulucus G は、東京エレクトロン(TEL)のウェーハ薄化装置です。独自開発の研削加工ユニットを、量産実績の多い塗布現像装置のプラットフォーム LITHIUS Pro Z に組み合わせ、シリコンウェーハの高品質化と量産での省人化を同時に実現します。
先端パターニングでは、母材となるシリコンウェーハへの平坦度の要求が一段と高まっています。また、人手不足を背景に、ウェーハ製造工程でも装置内での連続工程化と自動化が求められています。
新しい研削ユニットに、スクラブ洗浄とスピンウェットエッチングのユニットを組み合わせ、すべてを枚葉で処理するため、ウェーハごとに品質を管理できます。装置内の検査ユニットで各工程の測定結果をフィードバック・フィードフォワード制御に使い、高平坦度・低ダメージ・クリーンなウェーハ製造を人の技能に頼らずに実現します。
主な特長
- •研削・洗浄・エッチング・検査を一体化
- •すべて枚葉処理
- •装置内でのフィードバック制御
主な仕様
| 方式 | 枚葉の研削+スクラブ洗浄+スピンウェットエッチング |
|---|---|
| 特徴 | 装置内の検査ユニットでフィードバック/フィードフォワード制御 |
| ベース | LITHIUS Pro Z プラットフォーム |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | DISCODGP8761 | DISCODAG810 | DISCODFG8340 | DISCODFG8360 | DISCODFG8540 | DISCODFG8560 | DISCODFG8830 | DISCODGP8762 | 東京エレクトロン(TEL)Ulucus™ G |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 200/300 mm | Φ8 インチ(オプションで Φ300 mm) | Φ4〜8 インチ | Φ300 mm | Φ8 インチ(Φ4〜8 インチ) | Φ300 mm(Φ200 mm もユニバーサルチャックで可) | Φ4〜6 インチ(支持基板 Φ5〜8 インチ) | Φ300 mm | — |
| 方式 | — | 1 軸 1 チャックテーブル(インフィード研削) | 1 軸 2 チャックテーブル | 1 軸 2 チャックテーブル(インフィード研削) | 2 軸 3 チャックテーブル | 2 軸 3 チャックテーブル | 4 軸 5 チャックテーブル | 3 軸 4 チャックテーブル(粗研削・仕上げ研削・ドライポリッシュ) | 枚葉の研削+スクラブ洗浄+スピンウェットエッチング |
| 特徴 | — | — | 厚みをリアルタイム測定しながら純水のみで加工 | — | — | — | 高剛性・高出力スピンドル・大口径ホイール | — | 装置内の検査ユニットでフィードバック/フィードフォワード制御 |
| 装置質量 | — | — | — | — | 約 3,100 kg(DFG850 比 28% 軽量) | 約 4,000 kg(DFG860 比 20% 軽量) | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目(7件)
| 研削方式 | インフィード研削(Z1/Z2)+ストレスリリーフ(Z3) | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 構成 | 3軸・4チャックテーブル | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 主要用途 | DBG/SDBG・ウェーハ薄化 | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 装置寸法 | — | 600 × 1,700 × 1,780 mm | — | — | — | — | — | — | — |
| スピンドル | — | — | — | 定格 7.5kW・1,000〜4,500 min⁻¹ | — | — | — | — | — |
| 3 軸目の選択 | — | — | — | — | — | — | — | ドライポリッシュ(標準)・CMP・研削 | — |
| ベース | — | — | — | — | — | — | — | — | LITHIUS Pro Z プラットフォーム |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •シリコンウェーハの薄化・平坦化
掲載カテゴリ
Ulucus Gは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
バックグラインダーのほかの製品
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)CELLESTA™ Pro SPM(レジスト剥離装置(ウェット))CELLESTA™ SCD(ウェハ乾燥装置)NS300Z(ウェハスクラバ)EVAROS™(拡散炉)TELFORMULA™(拡散炉)ALPHA-8SE™ i(拡散炉)Triase+™ EX-II™ TiN(CVD装置)Triase+™ Ti/TiN(CVD装置)Triase+™ SPAi(RTP(急速熱処理)装置)Episode™ 1(CVD装置)Episode™ 2 DMR(CVD装置)EXIM™(PVD装置)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP(コータ/デベロッパ)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V(コータ/デベロッパ)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™(コータ/デベロッパ)UNITY™ Me+(SiCパワー半導体製造装置)CELLESTA™-i MD(シングルウェハ洗浄装置)CELLESTA™ MS2(ウェハスクラバ)Prexa™(ウェハプローバー)Prexa™ MS(ウェハプローバー)Prexa™ SDP(最終テスト装置)Cellcia™(ウェハプローバー)WDF™ 12DP+(ウェハプローバー)Precio octo™(ウェハプローバー)Synapse™ V/Synapse™ Z Plus(TSV形成装置)Ulucus™ L(ハイブリッドボンディング装置)Ulucus™ LX(ハイブリッドボンディング装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07