CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP
高粘度材料やスピンオンハードマスクに対応し、次世代パッケージング向けに最適化した TEL の塗布現像装置。
CLEAN TRACK LITHIUS Pro APとは
CLEAN TRACK LITHIUS Pro AP は、東京エレクトロン(TEL)の 300mm ウェーハ対応の塗布現像装置です。高粘度材料やスピンオンハードマスク材料に対応し、次世代パッケージング技術に必要な工程に最適化しています。
多くの顧客に支持されている CLEAN TRACK ACT 12 のコンセプトを受け継ぎ、パッケージングに必要なハードウェアとプロセスを最適化しました。
LITHIUS Pro Z で採用したアライメント機能付きの新しい搬送系と薄型のスピンモジュールを搭載し、信頼性、生産性、歩留まりをさらに高めています。先端プロセスだけでなくパッケージング市場でも生産性と歩留まりの向上に貢献します。
主な特長
- •高粘度材料・スピンオンハードマスクに対応
- •アライメント機能付き搬送系
- •薄型スピンモジュール
主な仕様
| 方式 | 塗布現像(300mm) |
|---|---|
| 対応材料 | 高粘度材料・Spin-on Hard Mask |
| 主要用途 | 先端パッケージング |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ | SCREENホールディングスDT-3000(SOKUDO DUO) | SCREENホールディングスRF-200EX/RF-300EX(コータ・デベロッパ) | SCREENホールディングスSK-60EX/SK-80EX(コータ・デベロッパ) | SCREENホールディングスSC-80EX(スプレーコータ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — | — | — | 300 mm | 150〜200 mm(RF-200EX) | — | 100〜200 mm |
| 方式 | — | — | 塗布現像(300mm) | 塗布現像(300mm) | 塗布現像(300mm) | — | — | 塗布・現像 | スプレー塗布(ウェーハ温調付き) |
| 特徴 | High-NA EUVプロセス向け欠陥制御技術 | — | — | OEE の最大化・ダブルパターニングへの拡張性 | OEE 向上・CoO 低減・省スペース | — | レジスト消費量・消費電力の削減 | — | — |
| 主要用途 | 先端リソグラフィのレジスト塗布・現像 | レジスト塗布・現像・各種ベーク | 先端パッケージング | — | — | — | — | — | — |
| 関連機種 | — | LITHIUS Pro AP(300 mm/200 mm対応)(派生機種) | — | LITHIUS Pro V-i | LITHIUS Pro-i | — | — | — | — |
| スループット | — | インライン 300 wph | — | — | — | 450 枚/時 以上 | — | — | — |
| 対応プロセス | — | EUV・液浸・ArF・KrF・i線・SOC | — | — | — | 液浸リソグラフィ・電子ビーム・DSA | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目(10件)
| 位置づけ | LITHIUS Pro Z の後継機 | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 販売開始 | 2025年12月 | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 対応ノード | — | 10 nm 世代以降 | — | — | — | — | — | — | — |
| 対応材料 | — | — | 高粘度材料・Spin-on Hard Mask | — | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | — | — | — | — | デュアルトラック(2プロセスライン並列) | — | — | — |
| 運用 | — | — | — | — | — | 片ラインのメンテナンス中も生産継続が可能 | — | — | — |
| 対応薬液 | — | — | — | — | — | — | レジスト・ポリイミド・SOC など(RF-300EX) | — | — |
| 対応基板 | — | — | — | — | — | — | — | 薄ウェーハ・厚基板・ガラス・LT・サファイア・磁性材料基板など | — |
| 互換性 | — | — | — | — | — | — | — | 60/80 シリーズとレシピ互換 | — |
| ノズル | — | — | — | — | — | — | — | — | 薬液用最大 2・溶剤用 1 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •先端パッケージングのレジスト塗布・現像
掲載カテゴリ
CLEAN TRACK LITHIUS Pro APは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
コータ/デベロッパのほかの製品
CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(東京エレクトロン(TEL))DT-3000(SOKUDO DUO)(SCREENホールディングス)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(東京エレクトロン(TEL))CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V(東京エレクトロン(TEL))CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™(東京エレクトロン(TEL))RF-200EX/RF-300EX(コータ・デベロッパ)(SCREENホールディングス)SK-60EX/SK-80EX(コータ・デベロッパ)(SCREENホールディングス)SC-80EX(スプレーコータ)(SCREENホールディングス)
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)CELLESTA™ Pro SPM(レジスト剥離装置(ウェット))CELLESTA™ SCD(ウェハ乾燥装置)NS300Z(ウェハスクラバ)EVAROS™(拡散炉)TELFORMULA™(拡散炉)ALPHA-8SE™ i(拡散炉)Triase+™ EX-II™ TiN(CVD装置)Triase+™ Ti/TiN(CVD装置)Triase+™ SPAi(RTP(急速熱処理)装置)Episode™ 1(CVD装置)Episode™ 2 DMR(CVD装置)EXIM™(PVD装置)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V(コータ/デベロッパ)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™(コータ/デベロッパ)UNITY™ Me+(SiCパワー半導体製造装置)CELLESTA™-i MD(シングルウェハ洗浄装置)CELLESTA™ MS2(ウェハスクラバ)Prexa™(ウェハプローバー)Prexa™ MS(ウェハプローバー)Prexa™ SDP(最終テスト装置)Cellcia™(ウェハプローバー)WDF™ 12DP+(ウェハプローバー)Precio octo™(ウェハプローバー)Synapse™ V/Synapse™ Z Plus(TSV形成装置)Ulucus™ L(ハイブリッドボンディング装置)Ulucus™ LX(ハイブリッドボンディング装置)Ulucus™ G(バックグラインダー)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07