東京エレクトロン(TEL)/ウェハプローバー

Cellcia™

多段マルチセル構造で、各セルが独立して 300mm ウェーハを一括テストする TEL の次世代テストプラットフォーム。

Cellciaとは

Cellcia は、東京エレクトロン(TEL)の 300mm ウェーハ対応の次世代ウェーハ一括テストプラットフォームです。多段のマルチセル構造を持ち、各セルが完全に独立して同時にウェーハをテストするため、ロットを高速に処理できます。

メモリのウェーハテストでは、コスト削減のために同時多数測定が積極的に取り入れられ、300mm ウェーハを一括コンタクトでテストする技術も確立されています。Cellcia はロットを複数のセルに分けて処理時間を短くし、多段積みで設置面積を大きく減らして、単位面積あたりのテスト効率を飛躍的に高めました。

従来のプローバの技術に加え、新しいステージ、プローブカード、コンタクター、テスターの技術と、前工程装置で培った技術を導入しています。セル数は 12 または 25 で、メモリやウェーハレベルバーンインに使われます。

主な特長

  • •多段マルチセル構造
  • •各セルが独立して同時テスト
  • •設置面積を大幅削減
  • •12/25 セル

主な仕様

対応ウェハ径300 mm
セル数12 または 25
主要用途メモリ・ウェーハレベルバーンイン

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目東京エレクトロン(TEL)Precio™ XL(ウェーハプローバ)東京エレクトロン(TEL)Prexa™東京エレクトロン(TEL)Prexa™ MS東京エレクトロン(TEL)Cellcia™東京エレクトロン(TEL)WDF™ 12DP+東京エレクトロン(TEL)Precio octo™東京精密(Accretech)UF3000EX-e(ウェーハプローバ)アドバンテストHA1200(ダイレベルプローバ)
対応ウェハ径200/300 mm300 mm(200 mm はオプション)300 mm(200 mm はオプション)300 mm—150/200 mm200 ~ 300 mm(特殊ウェーハ含む)—
XY 精度—±1.8µm(200mm オプション時 ±1.5µm)±0.8µm—±1.8µm±2.0µm——
方式全自動ウェーハプローバ(リニアモーター)—————全自動ウェーハプローバ個片ダイへの高精度自動プロービング
主な機能TELPADS-I(高速針痕検査)・Auto Leveling・CoSMOz—————OTS(光学式ターゲットスコープ)・15 インチタッチパネル—
プロービング荷重—300 kg(オプション 450 kg)600 kg(オプション 1,000 kg)—————
主要用途———メモリ・ウェーハレベルバーンイン——ウェーハテスト(プローブテスト)—
対象————200/300mm ウェーハ・300mm ダイシングフレーム——チップレットを使うハイエンド SoC
1機種だけが掲載している項目(5件)
精度XY ±1.8 µm・Z ±5.0 µm———————
セル数———12 または 25————
機能————N-Shot アライメント(ダイシング前後)———
オプション—————超高速針痕自動検査 TELPADS-I——
温度制御———————テスタ連動の ATC(Active Thermal Control)

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •メモリのウェーハ一括テスト
  • •ウェーハレベルバーンイン

掲載カテゴリ

Cellciaは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

東京エレクトロン(TEL)

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

東京エレクトロン(TEL) の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

ウェハプローバーのほかの製品

東京エレクトロン(TEL)のほかの製品

TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)CELLESTA™ Pro SPM(レジスト剥離装置(ウェット))CELLESTA™ SCD(ウェハ乾燥装置)NS300Z(ウェハスクラバ)EVAROS™(拡散炉)TELFORMULA™(拡散炉)ALPHA-8SE™ i(拡散炉)Triase+™ EX-II™ TiN(CVD装置)Triase+™ Ti/TiN(CVD装置)Triase+™ SPAi(RTP(急速熱処理)装置)Episode™ 1(CVD装置)Episode™ 2 DMR(CVD装置)EXIM™(PVD装置)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP(コータ/デベロッパ)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V(コータ/デベロッパ)CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™(コータ/デベロッパ)UNITY™ Me+(SiCパワー半導体製造装置)CELLESTA™-i MD(シングルウェハ洗浄装置)CELLESTA™ MS2(ウェハスクラバ)Prexa™(ウェハプローバー)Prexa™ MS(ウェハプローバー)Prexa™ SDP(最終テスト装置)WDF™ 12DP+(ウェハプローバー)Precio octo™(ウェハプローバー)Synapse™ V/Synapse™ Z Plus(TSV形成装置)Ulucus™ L(ハイブリッドボンディング装置)Ulucus™ LX(ハイブリッドボンディング装置)Ulucus™ G(バックグラインダー)

関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
半導体製造装置の製品一覧へ →