CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE
LITHIUS Pro Zの製品コンセプトを継承した300mmウェーハ塗布・現像装置。High-NA EUVの超微細パターニングに向けた欠陥制御技術を搭載する。
CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICEとは
CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE は、東京エレクトロンの 300mm 対応コータ／デベロッパの最新機種です。レジストの塗布、現像、各種ベークを担い、露光装置とインラインで接続して使います。
High-NA を含む EUV プロセスに対応し、EUV・液浸・ArF・KrF・i 線・SOC の各プロセスを扱えます。スループットはインラインで 440wph と、シリーズで最も高い値です。欠陥制御技術を搭載し、装置データの収集機能も強化しました。
LITHIUS シリーズは、高いシェアを持った CLEAN TRACK ACT シリーズの技術を継ぐ製品群で、OEE（総合設備効率）の向上と CoO（所有コスト）の削減をコアコンセプトとしています。前機種の LITHIUS Pro Z は 10nm ノード以細向けでインライン 300wph です。
主な特長
- •High-NA を含む EUV プロセスに対応
- •インライン 440wph（シリーズ最高）
- •欠陥制御技術と装置データ収集機能を強化
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 位置づけ | LITHIUS Pro Z の後継機 |
| 特徴 | High-NA EUVプロセス向け欠陥制御技術 |
| 販売開始 | 2025年12月 |
| 主要用途 | 先端リソグラフィのレジスト塗布・現像 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE | 東京エレクトロン（TEL）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z | SCREENホールディングスDT-3000（SOKUDO DUO） |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | 300 mm |
| 主要用途 | 先端リソグラフィのレジスト塗布・現像 | レジスト塗布・現像・各種ベーク | — |
| スループット | — | インライン 300 wph | 450 枚／時 以上 |
| 対応プロセス | — | EUV・液浸・ArF・KrF・i線・SOC | 液浸リソグラフィ・電子ビーム・DSA |
1機種だけが掲載している項目（7件）
| 位置づけ | LITHIUS Pro Z の後継機 | — | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | High-NA EUVプロセス向け欠陥制御技術 | — | — |
| 販売開始 | 2025年12月 | — | — |
| 対応ノード | — | 10 nm 世代以降 | — |
| 関連機種 | — | LITHIUS Pro AP（300 mm／200 mm対応）（派生機種） | — |
| 構成 | — | — | デュアルトラック（2プロセスライン並列） |
| 運用 | — | — | 片ラインのメンテナンス中も生産継続が可能 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •EUV・High-NA EUV 工程のレジスト塗布・現像・ベーク
- •液浸 ArF などの先端リソグラフィ
掲載カテゴリ
CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICEは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
コータ／デベロッパのほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06