NS300Zとは
NS300Z は、TEL の 300mm ウェーハ対応のスクラバー洗浄装置です。超純水（DIW）によるスクラバー洗浄を行います。
2 流体スプレー（AS2：Atomized Spray 2）とブラシの技術を使い、最大 8 つのスピンモジュールを搭載できます。スループットは毎時最大 1,000 枚で、従来機の 200% です。
ウェーハ間の汚染を防ぐ機能を持ち、次世代デバイス向けの搬送にも対応しています。微細化やデバイス構造の 3 次元化で複雑になる洗浄の要求に応えます。
主な特長
- •2 流体スプレー（AS2）＋ブラシ
- •最大 8 スピンモジュール
- •毎時最大 1,000 枚（従来機比 200%）
主な仕様
| 洗浄方式 | ブラシ洗浄・2流体スプレー（AS2） |
|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 構成 | 表面・裏面洗浄に対応 |
| 主要用途 | ウェーハ表裏のパーティクル除去 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | SCREENホールディングススピンスクラバ SS-3200 | SCREENホールディングスSS-3300S（スピンスクラバ） | SCREENホールディングスSS-80EX（スピンスクラバ） | SCREENホールディングスSB-3300（ウェーハ裏面洗浄装置） | 東京エレクトロン（TEL）NS300Z | 東京エレクトロン（TEL）CELLESTA™ MS2 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 構成 | 最大 8 チャンバー・最大 800 枚／時 | 最大 16 チャンバ・デュアル搬送 | スピンヘッド 2〜6 基 | 4 段積みタワー・16 チャンバ | 表面・裏面洗浄に対応 | — |
| 処理能力 | — | 最大毎時 1,000 枚 | 最大毎時 160 枚（現行機比 111%） | 毎時 700 枚（反転処理を含む） | — | — |
| 特徴 | — | SS-3200 2 台比で設置面積 27% 削減 | チャンバ分離設計・6 種類の洗浄ツール | — | — | 両面処理の単位面積あたり生産性が従来比 1.5 倍以上 |
| 洗浄方式 | ブラシスクラブ＋ナノスプレー（2流体） | — | — | — | ブラシ洗浄・2流体スプレー（AS2） | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm（200 mm 版は SS-3200 for 200mm） | — | — | — | 300 mm | — |
| 主要用途 | 微細パターンのダメージレス物理洗浄 | — | — | — | ウェーハ表裏のパーティクル除去 | — |
| 方式 | — | — | — | ブラシ＋薬液の同時処理（ハイブリッド） | — | 物理洗浄（2 流体スプレー・ブラシ）・両面同時処理 |
1機種だけが掲載している項目（1件）
| スループット | — | — | — | — | — | 800 wph |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ウェーハ表裏のパーティクル除去
- •次世代デバイスの洗浄工程
掲載カテゴリ
NS300Zは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
ウェハスクラバのほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）CELLESTA™ Pro SPM（レジスト剥離装置（ウェット））CELLESTA™ SCD（ウェハ乾燥装置）EVAROS™（拡散炉）TELFORMULA™（拡散炉）ALPHA-8SE™ i（拡散炉）Triase+™ EX-II™ TiN（CVD装置）Triase+™ Ti/TiN（CVD装置）Triase+™ SPAi（RTP（急速熱処理）装置）Episode™ 1（CVD装置）Episode™ 2 DMR（CVD装置）EXIM™（PVD装置）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™（コータ／デベロッパ）UNITY™ Me+（SiCパワー半導体製造装置）CELLESTA™-i MD（シングルウェハ洗浄装置）CELLESTA™ MS2（ウェハスクラバ）Prexa™（ウェハプローバー）Prexa™ MS（ウェハプローバー）Prexa™ SDP（最終テスト装置）Cellcia™（ウェハプローバー）WDF™ 12DP+（ウェハプローバー）Precio octo™（ウェハプローバー）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus（TSV形成装置）Ulucus™ L（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ LX（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ G（バックグラインダー）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07