i-line 步進機是什麼
i-line 步進機（i-line Stepper）是以汞燈 i-line（波長 365nm）為光源的曝光設備，目前仍廣泛用於 0.18μm 以上成熟節點的半導體製造。與 ArF・EUV 相比，設備成本與運轉成本都低得多，在類比 IC、功率半導體、感測器、MEMS、工業用元件等重視成本的量產用途上具有優勢。尼康與佳能是主要廠商，這也是日本曝光機產業的起點。
重點整理
以汞燈 i-line（365nm）為光源的成熟曝光技術
目前仍大量用於 0.18μm 以上成熟節點（設備・運轉成本低）
在類比 IC・功率半導體・感測器・MEMS 用途上表現強勢
尼康・佳能為主要廠商（與 ArF/EUV 不同，日本廠商占優勢）
在無法使用 EUV 或 DUV 的重視成本晶圓廠中依然不可或缺
常見問題
什麼是 i-line 步進機？
i-line 步進機是以汞燈 i-line（波長 365nm）為光源的曝光設備。適用於 0.18μm 以上的成熟節點，由於設備與運轉成本低，目前仍廣泛用於類比・功率・感測器・MEMS 領域的半導體製造。
i-line 曝光會使用到什麼時候？
i-line 曝光不支援先進邏輯（7nm 以下），但在 0.18μm 以上的成熟節點極具成本效益，預計 2030年以後仍會持續使用。特別是在功率半導體・MEMS・類比 IC 等重視成本的產品上不可或缺。
i-line 步進機的主要廠商有哪些？
尼康（Nikon，日本）與佳能（Canon，日本）是主要廠商。兩家在 ArF 浸潤式與 EUV 方面落後艾司摩爾，但在 i-line 步進機市場具有強大競爭力，是日本曝光機產業的基礎。
相關用語
比較文章
- EUV曝光機與DUV曝光機的差異兩者都是將電路圖形轉印到光阻上的曝光機，但光源波長與設備構成根本不同。EUV以13.5nm的極紫外光，可透過單次曝光實現微縮，但必須採用真空與反射式光學。DUV…
- High-NA EUV與傳統EUV的差異（NA=0.55 vs NA=0.33）EUV曝光機目前分為「傳統EUV（NA=0.33，ASML的NXE系列）」與「High-NA EUV（NA=0.55，ASML的EXE系列）」2個世代。High…
- ArF曝光與KrF曝光的差異（DUV曝光機比較）ArF與KrF都是以DUV（深紫外光）準分子雷射為光源的微影設備，但光源波長根本不同。ArF（氟化氬）為193nm，搭配浸潤式曝光（ArFi：以純水將NA延伸到…
- 單一圖案化與多重圖案化的差異曝光機的解析度有物理上的極限（繞射極限），為了實現以1次曝光無法直接形成的微細圖形而開發的就是多重圖案化技術。藉由SADP（自對準雙重圖案化）與SAQP（自對準…
- 奈米壓印與EUV的差異（次世代微影比較）奈米壓印微影（NIL）與EUV曝光同為實現半導體製造微縮的微影技術，但圖形轉印的原理根本不同。EUV是使用13.5nm光的最先進光學微影，實質上由艾司摩爾（AS…
- 正型光阻與負型光阻的差異（光阻比較）光阻是經曝光後溶解特性會改變的感光材料。正型光阻的曝光區會溶於顯影液（光罩透光部以外的區域留下成為圖形），負型光阻則是曝光區硬化留下、未曝光區溶解。解析度優異的…
延伸閱讀
曝光機的其他分類
烘烤・UV 固化設備
烘烤・UV 固化設備是以加熱或紫外線照射使塗佈膜硬化、穩定化的設備。
塗佈顯影機塗佈顯影機（Coater/Developer）是在微影製程中進行光阻塗佈（coating）與曝光後顯影（develop）的一體化設備。
DUV 曝光機DUV 曝光機（Deep Ultraviolet Lithography）是以 ArF 準分子雷射（193nm）或 KrF 準分子雷射（248nm）為光源的曝光設備。
電子束直寫設備電子束直寫設備是不使用光罩，以電子束直接在晶圓上描繪圖案的曝光設備。
EUV 曝光機EUV 曝光機（Extreme Ultraviolet Lithography）是使用波長 13.5nm 的極紫外光，將超微細電路圖案轉印到晶圓上的曝光設備。
雷射直寫設備（LDI）雷射直寫設備（LDI／無光罩曝光設備）是不透過光罩，以雷射光掃描描繪圖案的曝光設備。
光罩對準曝光機光罩對準曝光機（Mask Aligner）是讓光罩與晶圓直接相對，以等倍一次轉印圖案的曝光設備。
奈米壓印微影（NIL）奈米壓印微影（NIL：Nanoimprint Lithography）是將光罩（模板）上的奈米結構圖案直接壓在紫外線硬化樹脂等材料上以轉印圖案的微影技術。