仮接着・剥離装置メーカー2社
仮接着・剥離装置は、デバイスウェーハを接着剤でガラスなどの支持基板に一時的に貼り付ける仮接着（テンポラリーボンディング）装置と、裏面の薄化・加工が終わったあとに支持基板から剥がす剥離（デボンディング）装置の組み合わせです。数十µmまで薄くしたウェーハは単体では反りや割れで扱えないため、支持基板に貼ったまま研削・TSV形成・裏面配線を進めます。剥離にはレーザー・熱・機械的な方法があり、剥離後に接着剤の残渣を洗浄します。
主要特徴
よくある質問
なぜウェーハを仮接着する必要があるのですか？▾
剥離（デボンディング）にはどんな方式がありますか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
仮接着・剥離：3機種の比較
| 項目 | EV GroupEVG®850 TB（仮接合） | EV GroupEVG®850 DB（剥離） | 東京エレクトロン（TEL）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus |
|---|---|---|---|
| 工程 | 仮接合（接着剤塗布〜接合） | 剥離・洗浄 | — |
| 対応材料 | スピンコート熱可塑性・熱硬化性接着剤・テープ | スライドオフ／UV レーザー／IR LayerRelease 方式 | — |
| 主要用途 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 | — |
1機種だけが掲載している項目（3件）
| 対応ウェハ径 | — | — | 300 mm |
|---|---|---|---|
| 仮接合精度 | — | — | 接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V） |
| 特徴 | — | — | 50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 工程 | 仮接合（接着剤塗布〜接合） |
| 対応材料 | スピンコート熱可塑性・熱硬化性接着剤・テープ |
| 主要用途 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
| 工程 | 剥離・洗浄 |
| 対応材料 | スライドオフ／UV レーザー／IR LayerRelease 方式 |
| 主要用途 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
Synapse™ V／Synapse™ Z Plus
TSV 工程のウェーハ仮接合（Synapse V）と剥離・洗浄（Synapse Z Plus）を行う TEL のボンダー／デボンダー。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 仮接合精度 | 接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V） |
| 特徴 | 50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus） |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
2社の主要メーカー
オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。
- •ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
- •2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
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メーカー 4 社