アッシング装置(レジスト灰化)メーカー7社

アッシング装置は、酸素プラズマで生成した酸素ラジカルによってフォトレジストを二酸化炭素と水に分解し、気体として除去する装置です。薬液を使わないため廃液が出ず、大量のウェハを効率よく処理できます。プラズマ生成室と処理室を分けたダウンフロー方式では、イオンによる下地ダメージを避けながらラジカルだけを供給できます。Low-k膜は酸素プラズマで誘電率が上がってしまうため、水素や窒素を用いた低ダメージアッシングが使われます。残渣が残る場合はウェットのレジスト剥離と組み合わせます。

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主要特徴

酸素ラジカルでレジストを分解し気体として除去する
廃液が出ず大量処理に向くのがウェット剥離との違い
ダウンフロー方式ならイオンダメージを避けられる
Low-k膜には水素・窒素系の低ダメージアッシングを使う

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目PSK HoldingsSUPRA VmMattson TechnologySuprema®ULVAC(アルバック)Luminous NA シリーズ
方式ドライストリップ(プラズマアッシング)ドライストリップ(ファラデーシールド ICP)プラズマアッシング
対応ウェハ径300 mm300 mmウェーハサイズフリー(パネル対応型は 600 mm 角まで)
構成2 チャンバーモジュール構成・真空/大気ロボット(300 枚/時超)ウェーハ用/パネル用
主要用途フォトレジスト除去バルクストリップ・DRAM/3D NAND 向け(Suprema XP)イオン注入後レジスト剥離・ポリマー除去・デスカム

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真
PSK Holdings

SUPRA Vm

PSK の 300mm フォトレジスト・ドライストリップ装置。独自のプラズマ源で高いストリップレートと低ダメージを両立する。

方式ドライストリップ(プラズマアッシング)
対応ウェハ径300 mm
構成2 チャンバー
主要用途フォトレジスト除去
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製品写真
Mattson Technology

Suprema®

ファラデーシールド付き ICP プラズマ源を使う Mattson のドライストリップ装置。メモリ・ファウンドリ・ロジックの量産で使われている。

方式ドライストリップ(ファラデーシールド ICP)
対応ウェハ径300 mm
構成モジュール構成・真空/大気ロボット(300 枚/時超)
主要用途バルクストリップ・DRAM/3D NAND 向け(Suprema XP)
Mattson Technology の企業情報を見る →
製品写真
ULVAC(アルバック)

Luminous NA シリーズ

ウェーハサイズを問わない ULVAC のアッシング装置。次世代ウェーハプロセスから WLP まで対応する。

方式プラズマアッシング
対応ウェハ径ウェーハサイズフリー(パネル対応型は 600 mm 角まで)
構成ウェーハ用/パネル用
主要用途イオン注入後レジスト剥離・ポリマー除去・デスカム

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

7社の主要メーカー

Lam Research米国

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

エッチング装置
KiyoFlexVantexAkara
成膜装置
デポジションシステム
洗浄装置
ウェーハ洗浄装置
  • •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
  • •原子層エッチング(ALE)技術における技術リーダーシップ
会社詳細
Mattson Technology米国

急速熱処理(RTP)・ドライストリップ(プラズマアッシャー)の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。

熱処理装置
RTPシステムバッチ熱処理装置
ドライストリップ装置
プラズマアッシャー
  • •急速熱処理(RTP)装置での業界実績
  • •プラズマアッシャー(ドライストリップ)技術
会社詳細
PSK Holdings韓国

韓国の半導体前工程装置メーカー。フォトレジストを除去するドライストリップ(アッシング)装置で世界的なシェアを持ち、プラズマドーピングやドライクリーニング装置も展開する。

ドライストリップ装置
アッシング装置
ドーピング装置
プラズマドーピング(PLAD)
  • •ドライストリップ(アッシング)装置で世界上位
  • •プラズマドーピング(PLAD)装置を供給
会社詳細
ULVAC(アルバック)日本

真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。

PVD装置
スパッタリングシステム蒸着装置
CVD装置
プラズマCVD熱CVD
真空ポンプ
ターボ分子ポンプドライポンプ
  • •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
  • •スパッタリング装置で国内トップクラス
会社詳細
サムコ(SAMCO)日本

プラズマエッチング・CVD・表面処理装置の専業メーカー。化合物半導体(GaN・SiC・GaAs)やMEMS・パワー・光デバイス向けの薄膜・微細加工プロセスに強みを持つ。

プロセス装置
プラズマエッチング装置プラズマCVD装置表面処理(プラズマクリーナ)
  • •化合物半導体・MEMS向けプロセス装置に強み
  • •エッチング・CVD・表面処理を一貫提供
会社詳細
芝浦メカトロニクス日本

東芝グループの半導体・FPD製造装置メーカー。枚葉式の洗浄装置やスピンプロセッサ、ドライエッチング装置、成膜装置などを手掛ける。

前工程装置
枚葉式洗浄装置スピンプロセッサドライエッチング装置
  • •枚葉式洗浄・スピンプロセス装置に強み
  • •半導体とFPDの両分野で装置を展開
会社詳細
Kokusai Electric(国際電気)日本

バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。

バッチ式CVD装置
VERTEXTRIORA
熱処理装置
縦型拡散炉酸化炉
  • •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
  • •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
会社詳細

関連カテゴリ

ドライエッチング装置

ドライエッチング装置(ドライエッチャー)は、プラズマや反応性ガスを用いてシリコン・酸化膜・金属薄膜などを気相中で精密除去する半導体前工程装置の一覧です。

メーカー 8 社
材料別エッチャー

材料別エッチャー(Material Etcher)は、ドライエッチングのうち除去対象の薄膜材料(酸化膜・窒化膜・多結晶シリコン・金属・化合物半導体など)ごとに、プラズマ化学種・ガスレシピ・電極構造を最適化した装置群を指します。

メーカー 3 社
金属エッチャー

メタルエッチャーは、アルミニウム・タングステン・チタン・コバルト・ルテニウムなどの金属配線・バリアメタル層をプラズマで精密に除去する専用ドライエッチング装置です。

メーカー 3 社
酸化膜エッチャー

オキサイドエッチャーは、シリコン酸化膜(SiO₂)・高誘電率酸化膜(HfO₂など)・BPSG・TEOS酸化膜といった絶縁膜をプラズマで精密に除去する専用装置です。

メーカー 3 社
ポリシリコンエッチャー

ポリシリコンエッチャーは、ゲート電極・ハードマスク・電極材として広く使われるポリシリコン膜を塩素系・臭素系プラズマで精密に加工する装置です。

メーカー 3 社
シリコンエッチャー

シリコンエッチャーは、単結晶シリコン・エピタキシャルシリコンをプラズマや反応性ガスで選択的に除去する装置で、STI(浅いトレンチ分離)・深いトレンチキャパシタ・FinFETフィン形成・SOI加工など多岐にわたる工程に使用されます。

メーカー 3 社
ウェットエッチング装置

ウェットエッチング装置は、フッ酸(HF)・硝酸・水酸化カリウム(KOH)などの薬液を用いて、ウェハ表面の酸化膜・窒化膜・金属などを液相中で溶解・除去する装置です。

メーカー 3 社

関連用語

比較・違いを学ぶ

ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が…
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ICPとCCPの違い
ICPとCCPは、どちらもドライエッチング装置やプラズマCVD装置でプラズマを生成する方式です。装置の説明では「ICPタイプ」「CCPタイプ」と書かれるだけのこ…
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