Endura® Ioniq™ W PVD

純タングステンの PVD 膜をライナー兼バリアにし、CVD W と一貫処理してコンタクト抵抗を下げる統合システム。

Endura Ioniq W PVDとは

Endura Ioniq W PVD は、Applied Materials のタングステン（W）コンタクト用の統合材料ソリューションです。微細化でコンタクトが細くなると抵抗が増え、RC 遅延で速度が落ち、消費電力も増えます。

従来の TiN ライナー、W の核生成層、バルク W の埋め込みという、抵抗の高い複数装置の組み合わせを、1 層の PVD W とバルク CVD W の一貫処理に置き換えます。CVD と前処理のチャンバーを 1 つの高真空プラットフォームに組み合わせた初めての構成です。

Ioniq PVD チャンバーはイオン化を高め、粒子の向きを制御して、純タングステン膜を均一なステップカバレッジで成膜します。この膜が低抵抗のバリア兼ライナーになります。

主な特長

•純 W をライナー兼バリアに
•PVD W と CVD W の一貫処理
•高イオン化と指向性制御

主な仕様

方式	PVD W＋CVD W＋前処理を 1 つの高真空プラットフォームに統合
置き換え	TiN ライナー・W 核生成層・バルク W の組み合わせ
主要用途	各種コンタクトのメタライゼーション

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsEndura® PVD	Applied MaterialsAxcela™ PVD	Applied MaterialsEndura® ALPS® PVD	Applied MaterialsEndura® Amber™ PVD	Applied MaterialsEndura® Avenir® RF PVD	Applied MaterialsEndura® Cirrus™ HT Co PVD	Applied MaterialsEndura® Cirrus™ HTX PVD	Applied MaterialsEndura® Clover® MRAM PVD	Applied MaterialsEndura® CuBS RF XT PVD	Applied MaterialsEndura® iLB™ PVD/ALD	Applied MaterialsEndura® Impulse™ PCRAM PVD	Applied MaterialsEndura® Ioniq™ W PVD	Applied MaterialsEndura® Versa™ XLR2 W PVD	Applied MaterialsPika™ PVD	東京エレクトロン（TEL）LEXIA™-EX（PVD）	東京エレクトロン（TEL）EXIM™	ULVAC（アルバック）ENTRON-EXX	ULVAC（アルバック）ENTRON-EX W300	Lam ResearchPrestis™（AlScN PVD）	KLASPTS Sigma® PVD
方式	PVD（スパッタリング）マルチチャンバー	—	低圧ソース（ALPS）PVD	PVD 銅成膜＋熱リフロー	RF PVD（高圧・容量結合プラズマ）	高温コバルト PVD	PVD（TiN ハードマスク）	PVD 統合システム（最大 7 成膜室）	高イオン化 PVD（EnCoRe II Ta(N) バリア・RF XT Cu シード）	PVD／CVD＋RE-ALD（Centinel チャンバー）	PVD 統合システム（最大 7 成膜室）	PVD W＋CVD W＋前処理を 1 つの高真空プラットフォームに統合	PVD（タングステン）	—	マルチカソード／デュアルカソード PVD	マルチカソード PVD	PVD マルチチャンバ（Single／Tandem）	—	PVD（圧電セラミック膜）	PVD（Advanced Hi-Fill イオン化 PVD ソース）
主要用途	Co・W・Al・Cu 配線、UBM、パワー・MEMS 向け新材料	—	—	銅配線のシード・ボトムアップ埋め込み	High-k／メタルゲート・Ni(Pt) コンタクトシリサイド	DRAM のビット線コンタクトなど	Low-k 配線のパターニング	—	—	32nm 以下のロジック・DRAM 電極・埋め込みワード線	—	各種コンタクトのメタライゼーション	DRAM ビット線	—	—	—	ロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリの配線・電極膜	—	RF MEMS・MEMS マイク・PMUT・マイクロスピーカー	—
特徴	—	—	Siconi プリクリーン（SiO₂:Si 選択比 20:1 超）	—	10Å 未満の均一な薄膜・TiN の組成制御	—	—	1 室で最大 5 材料・オンボード計測	Aktiv プリクリーン	—	GST 相変化材料用の Impulse GST チャンバー	—	—	—	フットプリント約 40% 削減・CO₂ 排出約 14% 削減	—	—	—	—	独自のデガス・プリクリーンで低接触抵抗・他社比 2 倍のスループット
膜種	—	—	Co・Ni（シリサイド形成用）	—	—	Co（Co シリサイド形成）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	AlScN など	Au・Al・Ti・TiW・Cu
対応ウェハ径	150／200／300 mm	150／200／300／330 mm	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	300 mm	—	—	—	—	—
対象世代	—	—	—	2X nm 以降（1X nm を含む）	—	—	10nm 以降	—	3X／2X nm 以降	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
対象	—	—	—	—	—	—	—	MRAM の全積層（30 層超）	—	—	PCRAM・ReRAM	—	—	—	—	垂直磁化型 MTJ（20 層以上の超多層膜）	—	—	—	—
チャンバー構成	最大 9 チャンバー（プリクリーン 2 室を含む）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 12 モジュール	—	—	—
スループット	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	100 wph（従来機比 20% 以上向上）	—	—	メカニカル 100 wph 以上	—	—

1機種だけが掲載している項目（12件）

膜厚	—	最大 8µm の厚膜	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
均一性	—	非均一性 2% 未満（1σ）を 10 年間維持	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
カバレッジ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	極薄バリアで 90% 超	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
置き換え	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	TiN ライナー・W 核生成層・バルク W の組み合わせ	—	—	—	—	—	—	—	—
狙い	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	散乱を減らした低抵抗 W 膜	—	—	—	—	—	—	—
寸法	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1,657 × 755 × 1,822 mm	—	—	—	—	—	—
スパッタ源	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	DC・パルス DC・RF（同時スパッタ可）	—	—	—	—	—	—
稼働率	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	92% 超	—	—	—	—	—	—
関連機種	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	EXIM（STT-MRAM 向け超多層膜）	—	—	—	—	—
受賞	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	半導体・オブ・ザ・イヤー 2015	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 10 プロセス（スパッタ・プリクリーン・加熱・冷却）	—	—
プラットフォーム	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	シングル・タンデム	—	—