KLA/ウェハ基板検査装置

WaferSight™ 2+

研磨ウェーハ・エピウェーハ・先端基板の平坦度、両面ナノトポグラフィ、エッジロールオフを測るベアウェーハ形状計測装置。

WaferSight 2+とは

WaferSight 2+ は、KLA のベアウェーハ(パターンなし)形状計測装置です。ウェーハメーカーが、研磨ウェーハやエピタキシャルウェーハ、エンジニアード基板などの先端基板を認定するのに使います。

ウェーハの平坦度、両面のナノトポグラフィ、高解像度のエッジロールオフのデータを作ります。

量産で一級品の基板を作れているかを確かめるデータを提供し、ウェーハ工程の監視・管理と出荷品質の管理に使われます。

主な特長

  • •平坦度・両面ナノトポグラフィ
  • •高解像度のエッジロールオフ
  • •先端基板に対応

主な仕様

方式ベアウェーハ形状計測
測定項目平坦度・両面ナノトポグラフィ・エッジロールオフ
対象研磨・エピウェーハ、エンジニアード基板

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目コベルコ科研SBW シリーズ(平坦度・形状測定装置)ナプソンNC-80MAPKLASurfscan® SC1KLAWaferSight™ 2+Onto InnovationNovusEdge® G2レーザーテックMAGICS M5640
測定項目Bow・Warp・GBIR(TTV)・SFQR抵抗率・シート抵抗(2D/3D マップ)—平坦度・両面ナノトポグラフィ・エッジロールオフ——
主要用途ウェーハ形状の品質管理基板の抵抗率検査基板・装置・工程・材料の認定と監視———
対象——パターンなしの SiC・GaN などの化合物ウェーハ研磨・エピウェーハ、エンジニアード基板300mm パターンなしウェーハのエッジ・ノッチ・裏面—
測定方式非接触ラインスキャン非接触(渦電流法)————
対象工程スライス・ラップ・エッチ・ポリッシュ後Si・SiC・GaN ウェーハ————
方式——DUV レーザー・暗視野/PL/ヘイズの多チャネルベアウェーハ形状計測——
1機種だけが掲載している項目(5件)
構成————モジュール構成(ノッチ検査はオプション)—
機能————実行時の自動欠陥分類—
光源—————532 nm
最高検出感度—————50nm(ミラーポリッシュウェーハ上の PSL)
検査時間—————22 分/枚(300mm ノーマルスキャン)

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •ウェーハ工程の監視
  • •出荷品質管理

掲載カテゴリ

WaferSight 2+は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

KLA

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

KLA の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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