KLA/電子線(EB)検査装置

eSL10™

光学式や他の電子ビーム検査では拾えない欠陥を見つけるパターン付きウェーハの電子ビーム欠陥検査装置。深層学習アルゴリズムを統合している。

eSL10とは

eSL10 は、KLA の電子ビーム(e-beam)式 パターン付きウェーハ欠陥検査装置です。業界最高のランディングエネルギーと高い分解能で、微小な物理欠陥や高アスペクト比構造の欠陥を捉え、先端ロジック、DRAM、3D NAND の開発と量産モニタを支えます。

新しい電子光学設計により、小さなスポットサイズで高いビーム電流密度を得ており、業界で最も広い動作条件で、さまざまなプロセス層やデバイス構造の欠陥を捉えます。

Yellowstone スキャンモードは分解能を落とさずに高速動作でき、疑わしいホットスポットの調査や広いチップ領域での欠陥探索を効率よく行えます。業界唯一の Simul-6 技術で、表面・トポグラフィ・材料コントラストなどの情報を一度に取得します。

主な特長

  • •業界最高のランディングエネルギーと高分解能
  • •小スポット・高ビーム電流密度の電子光学系
  • •Yellowstone スキャンモードによる高速検査
  • •Simul-6 による複数情報の同時取得

主な仕様

ビーム構成シングルビーム(Simul-6 収集モード・Yellowstone スキャン)
特徴SMARTs 深層学習で欠陥とノイズを判別
主要用途先端ロジック・DRAM・3D NAND(EUV 工程含む)

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目KLAeSL10™Hermes Microvision(HMI)HMI eScan® 1100
ビーム構成シングルビーム(Simul-6 収集モード・Yellowstone スキャン)マルチビーム(25 本)
特徴SMARTs 深層学習で欠陥とノイズを判別シングルビーム機比で最大 15 倍のスループット
主要用途先端ロジック・DRAM・3D NAND(EUV 工程含む)3nm ノード以降の欠陥検査

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •先端ロジック・DRAM・3D NAND の欠陥検査
  • •高アスペクト比構造・ホットスポットの調査

掲載カテゴリ

eSL10は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

KLA

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

KLA の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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